{0}}Jingot Silikon Oksigen Rendah Untuk Epitaksi Dan Litografi Lanjutan

{0}}Jingot Silikon Oksigen Rendah Untuk Epitaksi Dan Litografi Lanjutan

Dihasilkan khusus untuk platform wafer siap-epitaksi, jongkong silikon oksigen-rendah ini meminimumkan pemendakan oksigen, menghalang tekanan kristal semasa pertumbuhan epitaxial CVD.

  • Penghantaran Cepat
  • Jaminan kualiti
  • Perkhidmatan Pelanggan 24/7
pengenalan produk

Spesifikasi Teknikal:-Jingot Silikon Oksigen Rendah

2

Gambaran Keseluruhan Produk

 

The Low-Oxygen Silicon Ingot ialah platform substrat kejuruteraan-kepersisan yang dihasilkan khusus untuk-pengeluaran wafer sedia epitaksi dan sub-nod litografi 3nm lanjutan. Dengan mengekalkan kepekatan oksigen ultra-rendah dan sangat terkawal, jongkong ini berkesan meminimumkan pemendakan oksigen ($O_i$), yang menghalang tekanan hablur yang memudaratkan semasa pertumbuhan epitaxial-suhu tinggi Pemendapan Wap Kimia (CVD). Dioptimumkan untuk pemproses pengkomputeran AI generasi seterusnya dan cip logik skala nano, ia meningkatkan tingkah laku mendapatkan dalaman untuk memerangkap kekotoran, meningkatkan hasil peranti keseluruhan dengan ketara. Keseragaman dielektriknya yang unggul dan kerataan wafer yang luar biasa memberikan toleransi penjajaran kritikal yang diperlukan untuk litografi ultraungu (EUV) melampau, memastikan prestasi yang boleh dipercayai dalam kedua-dua persekitaran plasma bertenaga tinggi dan sistem Pemprosesan Terma Pantas (RTP).

 

Kelebihan Teknikal Teras

 

Kerpasan Oksigen yang Diminimumkan:Menghalang pembentukan pukal mikro-kecacatan ($BMD$) yang boleh menyebabkan wafer tergelincir atau terkehel{1}}tekanan semasa pertumbuhan berlebihan epitaxial.

 

EUV-Kerataan Sedia:Direkayasa untuk kestabilan geometri yang melampau, membolehkan kedalaman fokus dan toleransi penjajaran yang lebih halus yang diperlukan oleh nod litografi berasaskan EUV-.

 

Perolehan Dalaman yang Dipertingkatkan:Profil oksigen terkawal mencipta zon perolehan intrinsik yang cekap, dengan berkesan mengasingkan kekotoran logam daripada lapisan peranti aktif.

 

Ketahanan Terma & Plasma:Mengekalkan integriti struktur dan elektrik semasa etsa plasma yang agresif dan-pengoksidaan terma suhu tinggi, menyokong pemprosesan wafer kumpulan dan-tunggal.

4

Aplikasi Utama

 

Pemproses Logik & AI Sub-3nm:Substrat asas untuk mengeluarkan CPU, GPU dan unit pecutan perkakasan AI yang paling canggih di dunia.

 

Pengeluaran Wafer Epitaxial:Bahan suapan khusus untuk fabrik yang menghasilkan-lapisan epitaxial berkualiti tinggi untuk aplikasi CMOS dan BiCMOS.

 

ASIC & High{0}}Pengkomputeran Kelajuan:Memastikan prestasi-kebolehpercayaan frekuensi tinggi dan{1}}rendah yang diperlukan untuk cip ASIC tersuai dalam pusat data.

 

Pembangunan Litografi Lanjutan:Sesuai untuk R&D dan barisan pengeluaran besar-besaran yang menggunakan EUV dan litografi DUV rendaman untuk corak litar kompleks.

silicon-foundry-block47237

Cool tags: rendah-jongkong silikon oksigen untuk epitaksi dan litografi lanjutan, China rendah-jongkong silikon oksigen untuk epitaksi dan pengeluar litografi termaju, pembekal, kilang

Anda mungkin juga berminat

(0/10)

clearall