Teknologi Penyediaan Substrat Silikon Karbida

Teknologi penyediaan substrat silikon karbida termasuk kaedah PVT (kaedah pengangkutan wap fizikal), kaedah penyelesaian dan kaedah pemendapan kimia wap suhu tinggi. Pada masa ini, pertumbuhan kristal tunggal silikon karbida komersial menggunakan kaedah PVT. Substrat silikon karbida menggunakan serbuk karbon ketulenan tinggi dan serbuk silikon ketulenan tinggi sebagai bahan mentah untuk mensintesis serbuk silikon karbida. Di bawah medan suhu khas, kaedah penghantaran wap fizikal matang (kaedah PVT) digunakan untuk mengembangkan jongkong karbida silikon dengan saiz yang berbeza dan menjalani pemprosesan elektrostatik. , pemotongan jongkong kristal, pengisaran wafer, penggilap dan pembersihan, dsb. dibuat melalui pelbagai prosedur pemprosesan.