Wafer Inp 8 Inci
video
Wafer Inp 8 Inci

Wafer Inp 8 Inci

Kami berbangga untuk menawarkan semikonduktor teratas kami, wafer Indium Phosphide (InP: Fe). Spesifikasi termasuk format SI InP: Fe [100] 6-inci, dengan ketebalan ketepatan 680 ±3 mikron dan satu sisi (P/P) yang digilap. Kerintangan terletak di antara 0.9E7 hingga 1.6E7 Ω·cm, mematuhi piawaian SEMI.

  • Penghantaran Cepat
  • Jaminan kualiti
  • Perkhidmatan Pelanggan 24/7
pengenalan produk
pengenalan produk

 

Kami berbangga untuk menawarkan semikonduktor teratas kami, wafer Indium Phosphide (InP: Fe). Spesifikasi termasuk format SI InP: Fe [100] 6-inci, dengan ketebalan ketepatan 680 ±3 mikron dan satu sisi (P/P) yang digilap. Kerintangan terletak di antara 0.9E7 hingga 1.6E7 Ω·cm, mematuhi piawaian SEMI. Dicipta melalui teknik Vertical Gradient Freeze (VGF), struktur kristal unggul ini disediakan untuk aplikasi epitaxial dan termasuk takuk SEMI-standard.
Indium Phosphide menonjol sebagai semikonduktor kompaun unggul, terkenal dengan had halaju hanyutan elektron yang tinggi, toleransi sinaran yang luar biasa, dan kekonduksian terma yang sangat baik. Ciri-ciri ini menjadikannya sangat berkesan dalam menghasilkan komponen dan litar gelombang mikro frekuensi tinggi, berkelajuan tinggi dan berkuasa tinggi. Selain itu, aplikasinya merentasi pencahayaan keadaan pepejal, komunikasi gelombang mikro dan gentian optik, sel tenaga suria dan sistem panduan untuk kegunaan awam dan tentera, termasuk satelit. Tawaran Indium Phosphide kami memastikan asas yang boleh dipercayai untuk aplikasi teknologi canggih anda, memacu ke hadapan kedua-dua inovasi dan produktiviti.

96-1
96-2

 

Soalan Lazim

 

S: Bagaimanakah wafer InP dibuat?

J: Pembuatan wafer InP biasanya melibatkan teknik seperti Epitaksi Fasa Cecair (LPE) atau Epitaksi Fasa Wap (VPE), yang dilakukan dalam keadaan suhu dan tekanan tinggi. Proses ini membolehkan pertumbuhan terkawal kristal indium fosfida lapisan demi lapisan, memastikan pembentukan wafer berkualiti tinggi. Kawalan tepat ke atas keadaan semasa proses pertumbuhan adalah penting untuk mencapai sifat elektrik dan optik yang dikehendaki wafer InP.

S: Apakah saiz wafer InP?

A: Wafer InP tersedia dalam pelbagai saiz, biasanya diukur dengan diameternya. Saiz biasa termasuk 2 inci (kira-kira 50.8 mm), 3 inci (kira-kira 76.2 mm) dan 4 inci (kira-kira 101.6 mm). Pilihan saiz wafer bergantung pada keperluan khusus peranti elektronik yang dikeluarkan dan skala pengeluaran. Wafer yang lebih besar sering digunakan dalam persekitaran pembuatan volum tinggi di mana kecekapan dan keseragaman adalah kunci.

 

Cool tags: Wafer inp 8 inci, pengeluar wafer inp 8 inci China, pembekal, kilang

Anda mungkin juga berminat

(0/10)

clearall