Apakah proses penggilapan untuk wafer silikon karbida?

Proses penggilap wafer silikon karbida (SiC) biasanya melibatkan langkah-langkah berikut:
1. Pembersihan permukaan: Pertama, wafer silikon karbida dibersihkan permukaan untuk menghilangkan bahan cemar dan kekotoran permukaan. Ini boleh dicapai menggunakan pembersihan pelarut, pembersihan ultrasonik, atau kaedah lain yang sesuai.
2. Pengisaran kasar: Letakkan wafer dalam pengisar tertentu, sapukan zarah kasar (seperti aluminium oksida) dan cecair pengisar (seperti polimetil metakrilat) pada cakera berputar, dan kisar dan kisar melalui interaksi putaran dan gerakan. Permukaan rata.
3. Pengisaran sederhana: Selepas pengisaran kasar, wafer tertakluk kepada pengisaran sederhana untuk mengurangkan lagi kekasaran permukaan dan meningkatkan kerataan. Langkah ini biasanya menggunakan zarah kasar dan buburan yang lebih kecil.
4. Pengisaran halus: Pengisaran halus adalah untuk mendapatkan kemasan permukaan yang lebih halus. Gunakan zarah pelelas yang lebih kecil dan cecair pelelas untuk mengisar halus wafer. Langkah ini membantu menghilangkan kecacatan mikroskopik dan ketidaksempurnaan pada permukaan.
5. Menggilap: Langkah terakhir ialah menggunakan mesin pengilat untuk menggilap wafer untuk menghilangkan kesan sisa yang tertinggal semasa proses pengisaran halus dan meningkatkan lagi kualiti permukaan. Penggilapan biasanya dilakukan menggunakan cecair pengilat (seperti sol silika) dan kain penggilap atau pad pengilat.
Di atas adalah aliran proses umum penggilap wafer silikon karbida. Parameter dan kaedah tertentu mungkin berbeza mengikut aplikasi dan keperluan sebenar. Dalam operasi sebenar, ia perlu dilaraskan dan dioptimumkan berdasarkan faktor seperti saiz wafer, keperluan dan keupayaan peralatan.